首页/ 题库 / [未知题]电子和空穴在外电场作用下电子向正极、空穴的答案

电子和空穴在外电场作用下电子向正极、空穴向负极的运动,称之为()运动。

未知题
2022-01-04 23:30
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漂移

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半导体中的“空穴”数量大大超过自由电子的数量,成为以“空穴”导电为主的半导体,称为()半导体。
太阳光的光子在电池里激发电子空穴对,电子和空穴分别向电池的两端移动,如果外部构成通路,就形成电流,产生电压。
P型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。
半导体中的电子数大于空穴数。
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。与X线产生无关的因素是()
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。与X线本质不同的是()

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。

有关特征X线的解释,错误的是()
电子技术包括()和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
信息技术以微电子技术为基础,包括通信技术、自动化技术、微电子技术、光电子技术、光导技术、计算机技术和人工智能技术等。
信息技术以微电子技术为基础,包括通信技术、自动化技术、微电子技术、光电子技术、光导技术、计算机技术和人工智能技术。()
光电子技术与()技术成为21世纪信息技术的核心和基础。
半导体对光的吸收以及与之有关的光电离过程只能直接改变电子和空穴的数量与能量,为了出现光电势,还必须具备一定的附加条件,以使光生电子和空穴能够在空间分开。在不均匀半导体中,必须(),在均匀半导体中,必须具备另外一些附加条件,比如()或()。
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本征半导体电子浓度______空穴浓度,N型半导体的电子浓度______空穴浓度,P型半导体的电子浓度______空穴浓度 ( )
发生本征激发时,自由电子和空穴的数量( )。
在外电场作用下,半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。
在AB导体内,自由电子在电场力作用下由A向B方向运动,则导体内电流的方向是()。
透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时,由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对,即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动,负电子跑向偏压的正极,正电子跑向偏压的负极,于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比,这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元,即像素。每个像素区内有一个场效应管,在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下,开关导通,把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大,送到A/D转换器,从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。关于该平板探测器的叙述错误的是()
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。下列叙述错误的是()
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。这种条件下产生的X线的叙述,正确的是()
()技术是以光电子传感技术和激光技术为基础,由光学技术、电子技术、计算机技术和精密机械技术等密切结合而形成的一项高技术。
电子元件、电子器件和电路技术、电子计算机技术、电子通讯技术相结合的集成技术叫()。
N型半导体中,电子数目少于空穴数目,其导电能力主要由空穴决定。P型半导体中,电子数目多于空穴数目,其导电能力主要由电子决定。
N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。
P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。
空穴和自由电子一样,都是载流子。
自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
电子导电和夺穴导电有什么区别?空穴电流是不是自由电子递补空穴所形成的?
“电子――空穴对”是如何产生的?
内部自由电子数量和空穴数量相等的半导体是()
电子和空穴在外电场作用下电子向正极、空穴向负极的运动,称之为()运动。
半导体中的电流是电子电流和空穴电流之和。
电子和空穴的饱和漂移速度在什么量级?
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