CMOS门电路的抗干能力比TTL门电路差些。

CMOS门电路的负载能力约比TTL门电路（）。

CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。

如果CMOS电路电源电压与TTL不同，则用TTL电路驱动CMOS电路时，应该采用（）

TTL门电路或CMOS门电路可以构成多谐振荡器。（）

用场效应管构成的门电路称为（）门电路。

闩锁效应（可控硅效应），是CMOS电路遇到的（）问题。在CMOS电路正常工作时，由于（）的突然被激发，器件电流突然（），甚至很快因Al（），使电路失效。

反映CMOS门电路速度特性的参数有（）。

CMOS电路是由半导体（）管组成。

TTL逻辑门电路的高电平、低电平与CMOS逻辑门电路的高、低电平值是一样的。

CMOS反相器电路的功效产生于输入信号为零的转换器。

现代主流的集成电路加工技术为CMOS工艺，即最基本的器件是由（）和NMOS组成。