（1）薄膜制备工艺：包括氧化工艺和薄膜淀积工艺。该工艺通过生长或淀积的方法，生成集成电路制作过程中所需的各种材料的薄膜，如金属层、绝缘层等。
（2）图形转移工艺：包括光刻工艺和刻蚀工艺。把设计好的集成电路版图上的图形复制到硅片上。
（3）掺杂工艺：包括扩散工艺和离子注入工艺，即通过这些工艺将各种杂质按照设计要求掺杂到晶圆片的特定位置上，形成晶体管的源漏端以及欧姆接触等。
图形转换：
光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻
刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀
掺杂：离子注入退火扩散
制膜：
氧化：干氧氧化、湿氧氧化等
CVD://APCVD、LPCVD、PECVD
PVD://蒸发、溅射