IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。

全桥式功率转换电路中，当一组高压开关管导通时，截止晶体管上施加的电压为（）。

计算机的发展经历了（）计算机、晶体管计算机、集成电路计算机和大规模集成电路计算机的四个发展阶段。

计算机的发展经历了电子管计算机、晶体管计算机、集成电路计算机和（）计算机的四个发展阶段。

计算机硬件的发展经历了电子管计算机、晶体管计算机、集成电路计算机、（）等四个发展阶段。

计算机的发展经历了电子管计算机、晶体管计算机、（）、大规模超大规模集成电路计算机等四个阶段。

在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为（）而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为（）。

下列为双极型电力电子器件的是（）。

描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。

电力电子器件是构成变频器的关键器件之一。下列电力电子器件中属于半控型器件的是（）

（）是双极型全控电力电子器件。

高频开关电源中，常的电力电子器件为（）。