解理的产生严格受其晶体内部结构因素（晶格、化学键类型及其强度和分布）的控制，常沿面网间化学键力最弱的面网产生。下面按照晶格类型，将解理产生的原因分别描述如下：
1）在原子晶格中，各方向的化学键力均等，解理面//面网密度最大的面网。例如：金刚石晶体的解理沿{111}产生。
2）离子晶格，因静电作用，解理沿由异号离子组成的、且面网间距大的电性中和面网产生，例如：石盐的解理沿{100}产生；或者，解理面//两层同号离子层相邻的面网，例如：萤石的解理沿{111}产生。
3）多键型的分子晶格，解理面//由分子键联结的面网，例如：石墨的解理沿{0001}产生。
4）金属晶格，由于失去了价电子的金属阳离子为弥漫于整个晶格内的自由电子所联系，晶体受力时很容易产生晶格滑移而不致引起键的断裂。故金属晶格具强延展性而无解理。