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以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点?并请提出改进方法。

问答题
2022-01-01 03:54
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正确答案

首先NPN具有较薄的基区,提高了其性能:N阱使得NPN管C极与衬底断开,可根据电路需要接任意电位。缺点:集电极串联电阻还是太大,影响其双极器件的驱动能力。改进方法在N阱里加隐埋层,使NPN管的集电极电阻减小。提高器件的抗闩锁效应。


试题解析

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