内部结构条件——发射区高掺杂，其中多数载流子浓度很高，基区很薄，且低掺杂，则基区中多子的浓度很低；外部条件——外加电源极性应使发射结正向偏置，集电结反向偏置即使“Uc>Ub>Ue-最大整流电流Iom二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。反向工作峰值电压Urwm是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压CBR的一半或三分反向峰值电流Irm是指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IR、，受温度的影响大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍