解释PIN探测器及名称由来。
60年代,采用锂漂移技术在P型和N型半导体之间,得到受主杂质浓度和施主杂质浓度平衡的高电阻率补偿材料区,该区具有的性质与本征材料类似,通常以I(IntrinsiC.表示,简称I区,又叫补偿区,它是探测器的灵敏区,其厚度可以达到10mm以上。锂漂移探测器是P-I-N结构,习惯上又称为PIN探测器。
一走道顶棚上居中安装点型感温火灾探测器,走道长度为30m,在走道距端墙5m位置安装一点型感温火灾探测器,按照消防安全技术标准,该走道还应至少安装( )只点型感温火灾探测器。
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