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解释PIN探测器及名称由来。

问答题
2022-01-03 23:02
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正确答案

60年代,采用锂漂移技术在P型和N型半导体之间,得到受主杂质浓度和施主杂质浓度平衡的高电阻率补偿材料区,该区具有的性质与本征材料类似,通常以I(IntrinsiC.表示,简称I区,又叫补偿区,它是探测器的灵敏区,其厚度可以达到10mm以上。锂漂移探测器是P-I-N结构,习惯上又称为PIN探测器。


试题解析

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