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本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。

单选题
2022-01-04 23:30
A、A．自由电子，空穴；扩散，飘移
B、B．空穴，自由电子；漂移，扩散
C、C．空穴，自由电子；扩散，漂移
D、D．自由电子，空穴；漂移，扩散
E、E．自由电子，空穴；扩散，扩散
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正确答案
C
试题解析
标签： 临床医学工程师考试 卫生人才评价考试
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内部自由电子数量和空穴数量相等的半导体是（）
在半导体中，通常有（）和空穴两种载流子。
本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。
半导体中的“空穴”数量大大超过自由电子的数量，成为以“空穴”导电为主的半导体，称为（）半导体。
PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。
由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。
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当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 （ ）
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在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。( )
发生本征激发时,自由电子和空穴的数量( )。
在半导体中，自由电子和空穴都是载流子。
本征半导体中的自由电子和空穴是成对出现的。（）
N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。
硅半导体的导电过程存在（）和空穴两种载流子。
P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。
空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（）
在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。
半导体中有（）和空穴两种载流子。
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。
半导体中有两种载流子即：自由电子和（）。
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