相同之处在于：都是将被测量的变化转换为电阻的变化，且dR/R=（1+2H）ε+λEε，其中H为材料的泊桑比，E为材料的弹性模量，（1+2H）ε是由几何尺寸变化引起的阻值变化，λEε是由电阻率的变化引起的阻值变化。
不同的是，电阻应变片是利用导体形变引起的阻值变化，所以dR/R≈（1+2H）ε，S≈1+2H；而半导体应变片是利用半导体材料的压阻效应使电阻率发生变化引起电阻变化。所以dR/R=λEε，S≈λE。
各自的优点分别为：
电阻丝应变片具有相当高的适应性；半导体应变片的灵敏度高，一般为电阻丝应变片的50-70倍。