掺杂主要有两种方法，即热扩散和离子注入；
①热扩散：高温环境下，由于热运动杂质原子运动到半导体内部形成一定的分布。主要有两步工艺，即预淀积（恒定表面源扩散）和再分布（有限表面源扩散）；通过在硅表面生成氧化层再进行光刻形成掩蔽膜后可以对特定区域进行掺杂。
②离子注入：将带电的、经过强电场加速具有高能量的杂质离子射入到半导体基片中，再经退火使杂质激活，在半导体内部形成一定的杂质分布。主要过程为：离子源产生注入离子经初聚焦系统聚成离子束射向磁分析器，筛选出所需离子经加速器获得高能量，通过偏束板使带电离子打向靶室的样片上，完成离子注入。对特定区域进行离子注入方式掺杂可以加掩蔽膜也可以不加掩蔽膜。