首页/ 题库 / [单选题]X线管中形成高速电子流的条件,不包括的答案
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X线管阳极靶面材料应具备的条件不包括()
在X线管中用于发射电子的是()
在X线管中,当高速电子与阳极靶相互作用时,绝大部分高速电子的能量转变为()。
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高速电子流轰击靶面能量转换过程中,X线转换率在()
X线管的外观检查不包括()
在X线管中,当高速电子与阳极靶相互作用时,绝大部分高速电子的能量转变为()
X线管管套的功能不包括()
X线管灯丝电子的发射率决定于()
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。下列叙述错误的是()
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。这种条件下产生的X线的叙述,正确的是()
下列有关X线管的结构参数中,不包括()
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。与X线产生无关的因素是()
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。与X线本质不同的是()

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。

有关特征X线的解释,错误的是()
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