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在沉淀形成过程中,与待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成( )。

单选题
2021-09-02 13:02
A、吸留形成
B、混晶形成
C、包藏形成
D、后形成
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正确答案
B

试题解析

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对于形成杂质缺陷而言,高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有正电荷,为了保持电中性,会产生(    )。  
在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成 ( )
在直流电药物离子导入疗法中,导入人体的离子形成离子堆一般在皮下()
不管生成的沉淀溶解度有多小,也不管沉淀剂的加入量有多大,要使某种离子在溶液中绝迹是不可能的,因为溶液中始终存在沉淀-溶解平衡。通常所说的沉淀完全是指溶液中剩余离子浓度( )。
在沉淀形成过程中,与待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成( )。
为了消除AAS火焰法的化学干扰,常加入一些能与待测元素(或干扰元素)生成稳定络合物的试剂,从而使待测元素不与干扰 元素生成难挥发的化合物,这类试剂叫( )。
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所谓离子交换法,是指利用()所含有()的与待测溶液中的阳离子或阴离子进行交换。
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