集成电路制造需要在告别净化环境下进行，而光刻区对净化级别要求最高，如普通制造环境为1000级，则光刻区的净化环境则为10000级。

集成电路制造需要在告别净化环境下进行，通常净化室内气压应高于净化室外气压。

天然气净化过程中主要使用的吸附剂有（）种。

目前，用于天然气净化的吸附过程多为化学吸附。

用冷凝法净化有机废气时，通过（）措施可以提高净化效果。

如常时间不进行吹灰操作，燃烧渣油比燃烧天然气更容易使蒸汽过热炉烟道积灰。

天然气与空气混合遇火发生爆炸时的天然气的浓度范围叫做爆炸极限，而天然气与空气混合遇火发生燃烧时天然气的浓度范围不叫做爆炸极限。

天然气管道投产试运时，对天然气天然气置换过程中操作应平稳，天然气进气速度不应超过（）。

全低压流程中主换热器前通常采用什么净化装置？

空气净化器的净化效率用哪个值表示？（）

水体的自净化作用是指河水中的污染物浓度在河水向下游流动中的自然降低现象。分为：物理净化、化学净化和（）。

从气井采出的天然气含有液固体杂质，为了降低液固体杂质对设备、管线的影响，需对天然气进行（）处理。