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[单选题]pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的的答案
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pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。
单选题
2022-03-05 01:01
A、扩散层质量
B、设计
C、光刻
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A
试题解析
标签：
半导体芯片制造高级工
半导体芯片制造工
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半导体芯片制造工艺对水质的要求一般.（）
连接在电路中的二极管，当温度升高时，二极管的正向漏电流和反向击穿电压分别会（）。
线宽是集成电路芯片制造中重要的技术指标，目前芯片制造的主流技术中线宽为（）。
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某半导体静态存储器芯片的地址线为A12～A0，数据线D3～D0，若组成容量为64KB存储器，需要该种存储芯片的片数为（）
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某半导体静态存储器芯片的地址线为A12-AO，数据线为D3~DO，若组成容量为64KB存储器，需要该种存储芯片的片数为（）
某半导体静态存储器芯片的地址线为A13一AO，数据线为D7一DO，若组成容量为32KB存储器，需要该种存储芯片的片数为（）
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在微型计算机中将运算器和内存集成在一篇半导体芯片上，这种芯片就称作微处理器。
pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。
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