首页/ 题库 / [单选题]关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是的答案
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关于蛛网膜下腔麻醉后头痛的叙述正确的是()
关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是()
神经递质与突触后膜受体结合后,使后膜对Na++通透性提高,将引起后膜的电位变化是( )
兴奋性突触后电位的产生是由突触前膜兴奋并释放化学递质作用于突触后膜,使突触后膜对一切小离子(包括Cl-、K+,尤其是Cl-)的通透性增高,产生局部去极化。
发生突触后抑制时,在突触后膜上可产生。
蛛网膜下腔阻滞麻醉时,与麻醉平面调节无关的是()回答正确
抑制性突触后电位产生的离子机制是()
以下关于突触后抑制,说法错误的是()
下列关于下牙槽神经阻滞麻醉的描述中,不正确的是()
下列关于腭前神经麻醉的描述中,不正确的是()
下列关于上牙槽后神经阻滞麻醉的描述,不正确的是()
吸入麻醉是经呼吸道吸入挥发性麻醉药,而产生()的抑制。
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征,下列哪项是错误的()。
关于颈丛神经阻滞麻醉,下列不正确的是()。
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位()。
以下关于突触后抑制,说法错误的是()
兴奋性与抑制性突触后电位相同点是()
兴奋的突触传递中,“当突触前末梢接受一短串刺激时,虽然每次刺激都引发递质释放产生突触后电位,但后来的刺激引发的突触后电位要比前面的刺激引发的为大,引发的递质释放量也多,此效应消失得很快”属于()
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