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突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。

单选题

2021-12-26 03:10

A、K
B、Na
C、K
D、Ca
E、Na

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C

试题解析

标签：基础综合第二章生理学专业综合第十二章

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兴奋性突触后电位是指在突触后膜上发生的电位变化，被称作（）。

兴奋性突触后电位使突触后膜去极化，与之相关的离子通道是（）

关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是()

突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。

兴奋性突触后电位产生时，突触后膜出现的电改变是（）

IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加（）

兴奋性与抑制性突触后电位相同点是（）

突触前抑制的特征是突触后膜兴奋性升高。()

突触后电位有哪些类型？其产生机制如何？

兴奋性突触后电位发生时，突触后膜膜电位的特征是（）

肝性脑病时，GABA增多，对突触后膜上受体的影响是：（）

冲动达到神经-肌肉接头处，使突触前膜释放（），使终板膜主要对（）通透性增加。

相关题目: 心室肌动作电位3期复极化过程中，膜对其通透性增高的离子为：; ⒚EPSP 的产生是后膜对那种离子通透增大引起的( ); 当兴奋性递质与突触后膜结合后，引起突触后膜：; GABA与突触后膜的受体结合后，其结果是：; 神经纤维的阈电位是指引起膜对下列哪种离子的通透性突然增大的临界膜电位值( ); ⒚EPSP 的产生是后膜对那种离子通透增大引起的( ); 当兴奋性递质与突触后膜结合后，引起突触后膜：; GABA与突触后膜的受体结合后，其结果是：; 关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）; 关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）; 神经递质与突触后膜受体结合后，使后膜对Na++通透性提高，将引起后膜的电位变化是( ); 兴奋性突触后电位的产生是由突触前膜兴奋并释放化学递质作用于突触后膜，使突触后膜对一切小离子（包括Cl-、K+，尤其是Cl-）的通透性增高，产生局部去极化。; 发生突触后抑制时，在突触后膜上可产生。; 终板电位是 Ach作用于接头后膜，使后膜对离子特别是（）通透性增加，所引起的（）。; 突触前抑制的结构基础是哪一类型的突触（）; 抑制性突触后电位产生的离子机制是（）; 既可作突触前抑制，又可作突触后抑制的递质是γ-氨基丁酸; 82EPSP的产生,是由于突触后膜提高了下列哪些离子的通透性:( ); 突触后抑制包括传入侧支性抑制和回返性抑制; 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）。

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