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电子和空穴的饱和漂移速度在什么量级?

问答题
2022-01-04 23:30
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试题解析

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半导体中的电流是电子电流和空穴电流之和。
电子和空穴的饱和漂移速度在什么量级?
太阳光的光子在电池里激发电子空穴对,电子和空穴分别向电池的两端移动,如果外部构成通路,就形成电流,产生电压。
P型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。与X线产生无关的因素是()
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。与X线本质不同的是()

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。

有关特征X线的解释,错误的是()
什么是辐射?简述物体辐射能力与什么有关?
工程量是以物理计量单位或自然计量单位所表示的各个分项工程和结构配件的数量级。
半导体对光的吸收以及与之有关的光电离过程只能直接改变电子和空穴的数量与能量,为了出现光电势,还必须具备一定的附加条件,以使光生电子和空穴能够在空间分开。在不均匀半导体中,必须(),在均匀半导体中,必须具备另外一些附加条件,比如()或()。
逻辑记录与物理记录,逻辑文件与物理文件有些什么联系和区别?
工程量是以物理计量单位或自然计量单位所表示的各个分项工程和结构配件的数量级。
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高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。下列叙述错误的是()
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。这种条件下产生的X线的叙述,正确的是()
船舶在静止中受横风,其漂移速度与风速和船舶侧面受风面积的关系为:().
N型半导体中,电子数目少于空穴数目,其导电能力主要由空穴决定。P型半导体中,电子数目多于空穴数目,其导电能力主要由电子决定。
因为在工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程,这种工作类型的三极管称作()。
N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。
P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。
空穴和自由电子一样,都是载流子。
自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
电子导电和夺穴导电有什么区别?空穴电流是不是自由电子递补空穴所形成的?
内部自由电子数量和空穴数量相等的半导体是()
电子和空穴在外电场作用下电子向正极、空穴向负极的运动,称之为()运动。
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