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如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应?

问答题
2022-03-01 23:12
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正确答案

在第二次光刻生成有源区时,进行场氧生长前进行场区离子注入,提高寄生MOSFET的阈值电压,使其不易开启;增加场氧生长厚度,使寄生MOSFET的阈值电压绝对值升高,不容易开启。


试题解析

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