1.由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物并具有确定的禁带宽度和能带
结构等半导体性质的化合物称为化合物半导体材料。
2.半导体异质结、超晶格和量子阱材料统称为半导体微结构材料。
3.由两种不同半导体材料所组成的结，称为异质结。
4.两种或两种以上不同材料的薄层周期性地交替生长，构成超晶格。
5.当两个同样的异质结背对背接起来，构成一个量子阱。
6.在超晶格结构中，如果超晶格的重复单元是由不同半导体材料的薄膜堆垛而成，则称为
组分超晶格。
7.掺杂超晶格是在同一种半导体中，用交替地改变掺杂类型的方法做成的新型人造周期性
半导体结构的材料。
8.势垒足够厚，足够高时，相邻阱中的电子波函数不发生交叠，这种结构材料中的电子行
为如同单个阱中电子行为的简单总和，这种材料称为多量子阱材料。
9.分子束外延是指组成化合物的各元素通过加热方式，以原子束或分子束形式喷射在加热
的衬底表面经表面扩散和物理化学反应，形成化合物晶体薄膜的过程。
10.光电子材料是应用于光电子技术的材料总称，是指具有光子和电子的产生、转换和传输功能的材料。
11.半导体陶瓷是指导电性能介于导电陶瓷和绝像介质陶瓷之间的一类材料。