含义：APCVD——常压化学气相沉积法；LPCVD——低压化学气相沉积法；PECVD——等离子体增强型化学气相沉积法。
特点：APCVD制程发生在大气压力常压下，适合在开放环境下进行自动化连续生产。APCVD易于发气相反应，沉积速率较快，可超过1000A/min，适合沉积厚介质层。但由于反应速度较快，两种反应气体在还未到达硅片表面就已经发生化学反应而产生生成物颗粒，这些生成物颗粒落在硅片表面，影响硅片表面的薄膜生长过程，比较容易形成粗粗糙的多孔薄膜，使得薄膜的形貌变差.
低气压（133.3PA.下的CVD较长的平均自由路径可减少气相成核几率，减少颗粒，不需气体隔离，成膜均匀性好；晶圆垂直装载和提高生产力；但是反应速率较低，需要较高的衬底温度。
APCVD通常使用稀释的硅烷（在氮中占3%）和LPCVD使用纯硅烷。
PECVD低温下有高的沉积速率；射频在沉积气体中感应等离子体场；表面所吸附的原子不断受到离子与电子的轰击容易迁移使成膜均匀性好台阶覆盖性好；射频控制沉积薄膜的应力；反应室可用等离子体清洗。