高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。下列叙述错误的是（）

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。这种条件下产生的X线的叙述，正确的是（）

在阴极附近能够与电子结合的物质是很多的，它们能够吸收从阳极转移到阴极的电子，所以说阴极过程是（）电子的过程，也称为还原过程。

系统中雷达状态包括Unknown、Operational（or ON）、Failed（or OFF）、Detached。

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。与X线产生无关的因素是（）

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。与X线本质不同的是（）

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。

有关特征X线的解释，错误的是（）

X线产生过程中，电子高速运动所需能量主要取决于()

X线产生过程中，电子高速运动所需能量主要取决于()

X线产生中，电子从阴极射向阳极所获的能量，由下列哪个因素决定()

X线管阳极接受电子撞击产生X线，由阳极头、阳极帽、阳极柄构成。接受电子撞击产生X线的部位是（）

X线管阳极接受电子撞击产生X线，由阳极头、阳极帽、阳极柄构成。

能用于制造固定阳极X线管靶面的材料是（）