突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。

兴奋性突触后电位产生时，突触后膜出现的电改变是（）

兴奋性与抑制性突触后电位相同点是（）

兴奋的突触传递中，“当突触前末梢接受一短串刺激时，虽然每次刺激都引发递质释放产生突触后电位，但后来的刺激引发的突触后电位要比前面的刺激引发的为大，引发的递质释放量也多，此效应消失得很快”属于（）

突触前抑制的特征是突触后膜兴奋性升高。()

一般认为突触前抑制的突触的类型是()

突触后电位有哪些类型？其产生机制如何？

电突触的突触前成分不包括（）

从突触前两个分支给予一个单位的刺激，整合到突触后电位表现为（）。

兴奋性突触后电位发生时，突触后膜膜电位的特征是（）

终板电位和突触后电位都属局部电位以电紧张形式向外传播。

学习记忆是脑的高级机能，其神经基础是中枢神经系统的可塑性，包括神经网络、神经环路和突触连接等不同的层次水平，其中突触是最易变的环节，也是神经可塑性的关键部位。突触可塑性的表现形式有两个方面：一是突触传递效能的改变；二是突触结构参数的变化。　　这段话主要支持了这样一种论点，即（　　）。