• 多选题 下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

  标签：集成电路制造工艺员（三级） 2023-03-10 14:55

• 单选题 在新一代的CMP中，有使用（）磨料在金属表面上形成软质皮膜并加以去除的趋势。

  标签：集成电路制造工艺员（三级） 2021-12-30 10:49

• 问答题 电位器有哪些类别？有哪些技术指标？如何选用？如何安装？

  标签：集成电路制造工艺员（三级） 2021-12-27 02:48

• 单选题 下列材料中电阻率最低的是（）。

  标签：集成电路制造工艺员（三级） 2021-12-26 20:22

• 多选题 在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。

  标签：集成电路制造工艺员（三级） 2021-12-26 20:22

• 单选题 离子源的基本结构是由产生高密度等离子体的（）和引出部分组成。

  标签：集成电路制造工艺员（三级） 2021-12-26 20:22

• 单选题 在磁分析器中常用（）分析磁铁。

  标签：集成电路制造工艺员（三级） 2021-12-26 20:22

• 单选题 为了解决中性束对注入均匀性的影响，可在系统中设有（），使离子束偏转后再达到靶室。

  标签：集成电路制造工艺员（三级） 2021-12-26 20:22

• 单选题 二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。

  标签：集成电路制造工艺员（三级） 2021-12-26 20:22

• 单选题 离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成（）离子，并通过一个引出系统形成离子束。

  标签：集成电路制造工艺员（三级） 2021-12-26 20:21

• 单选题 离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。

  标签：集成电路制造工艺员（三级） 2021-12-26 20:21

• 单选题 干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。

  标签：集成电路制造工艺员（三级） 2021-12-26 20:21

• 单选题 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

  标签：集成电路制造工艺员（三级） 2021-12-26 20:20

• 单选题 在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。

  标签：集成电路制造工艺员（三级） 2021-12-26 20:20

• 多选题 晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

  标签：集成电路制造工艺员（三级） 2021-12-26 20:20

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