为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分(不考虑沟道调制效应)?
晶体管开通后,其漏源电流随着漏源电压而变化。当漏源电压很小时,随着漏源电压的值的增大,沟道内电场强度增加,电流随之增大,呈现非饱和特性;而当漏源电压超过一定值时,由于载流子速度饱和(短沟道)或者沟道夹断(长沟道),其漏源电流基本不随漏源电压发生变化,产生饱和特性。
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