杂质半导体中少数载流子浓度（）

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。

在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。

在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。

N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。

（）和（）是半导体的主要载流子，N型半导体中（）浓度高于（）浓度，而 P型半导体中（）浓度高于 电子浓度，（）半导体中的两种载流子浓度相等。

在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。

本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。