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()和()是半导体的主要载流子,N型半导体中()浓度高于()浓度,而 P型半导体中()浓度高于 电子浓度,()半导体中的两种载流子浓度相等。

填空题
2022-04-24 15:38
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电子 | 空穴 | 电子 | 空穴 | 空穴 | 本证

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标签: 大学试题 工学
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杂质半导体中少数载流子浓度()
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于()。
杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()
N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。
在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。
N型半导体中多数载流子是(),少数载流子是()。
由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。
()和()是半导体的主要载流子,N型半导体中()浓度高于()浓度,而 P型半导体中()浓度高于 电子浓度,()半导体中的两种载流子浓度相等。
N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。
P型半导体和N型半导体中都有载流子,但就半导体器件本身都是()
本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。
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本征半导体电子浓度______空穴浓度,N型半导体的电子浓度______空穴浓度,P型半导体的电子浓度______空穴浓度 ( )
在P型和N型半导体中多数载流子分别是
P型半导体中的多数载流子是空穴,因此,P型半导体带正电。()
N型半导体中多数载流子是___,P型半导体中多数载流子是____ 。(本40分
N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。
P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。
在N型半导体中,电子是少数载流子,空穴是多数载流子。()
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。
P型半导体中,多数载流子是(),少数载流子是()N型半导体中,多数载流子是(),少数载流子是。
在P型半导体中()是多数载流子;在N型半导体中电子是多数载流子。
N型半导体中,多数载流子是(),P型半导体中,多数载流子是()。
在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。
PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向()区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向()区进行扩散。
N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。
在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。
在N型半导体中,()是多数载流子。
N型杂质半导体中,多数载流子是()
N型半导体中的多数载流子是()。
本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。
P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。
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