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在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。

单选题
2022-01-05 16:21
A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷
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正确答案
A

试题解析

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离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。( )
N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。
P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。
P型半导体,又称空穴型半导体,这种半导体空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
空穴为()载流子。自由电子为()载流子的杂质半导体称为P型半导体。
自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。
在N型半导体中,电子是少数载流子,空穴是多数载流子。()
在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。
P型半导体中,多数载流子是(),少数载流子是()N型半导体中,多数载流子是(),少数载流子是。
在P型半导体中()是多数载流子;在N型半导体中电子是多数载流子。
N型半导体中,多数载流子是(),P型半导体中,多数载流子是()。
在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。
P型半导体是在锗硅四价元素中渗入三价元素,它的多数载流子是(),少数载流子是()。
在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。
N型杂质半导体中,多数载流子是()
P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。
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